Полная версия

Главная arrow Техника arrow Анализ конструктивно-технологических ограничений при проектировании лавинных фотодиодов, работающих в режиме счета фотонов

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ

Литература

[1] Верховцева А.В., Ванюшин И.В., Гергель В.А., Зеленый А.П., Зимогляд В.А., Тишин Ю.И. Статистические особенности зарождения процесса лавинного умножения в полупроводниках с различающимися коэффициентами ударной ионизации // Радиотехника и электроника. 2009. Т. 54. № 11. С. 1403-1414.

[2] Адамов Ю.Ф., Сибагатулин А.Г., Сомов О.А. Тенденции развития сенсорных систем и интеллектуальных датчиков // Датчики и системы. 2011. № 5. С. 58-59.

[3] Верховцева А.В. Моделирование динамики развития локального микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодных структурах // Нелинейный мир. 2009. Т. 7. № 3. С. 212.

[4] Верховцева А.В. Исследование динамики микропробоя в кремниевых лавинных фотодиодных структурах // Сб. тезисов докладов 16-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика - 2009». М.: МИЭТ, 22-24 апреля 2009. С. 35.

[5] Ruida Yun, Valencia Joyner A Monolithically Integrated Phase-sensitive Optical Sensor for Frequency-Domain NIR Spectroscopy // IEEE Sensors Journal. July 2010. V. 10. № 7. pp. 1234-1242.

 
Перейти к загрузке файла
<<   СОДЕРЖАНИЕ