Полная версия

Главная arrow Техника arrow Анализ принципа работы и расчет субмикронных МОП-транзисторов

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ

Литература

  • 1. Зиатдинов С.И., Суетина Т.А., Поваренкин Н.В. Схемотехника телекоммуникационных устройств: учебник для студ. учреждений высш. проф. образования. М.: Издательский центр «Академия», 2013.
  • 2. Чикалов А.Н., Соколов С.В., Титов Е.В. Схемотехника телекоммуникационных устройств. М., 2016.
  • 3. Танг Т Чан. Высокоскоростная цифровая обработка сигналов и проектирование аналоговых систем. М.: Техносфера, 2013.
  • 4. Camillo L.M., Martino J.A., Simoen E. & Claeys C., “The temperature mobility degradation influence on the zero temperature coefficient of partially and fully depleted SOI MOSFETs”, Microelectronics journal, vol. 37, no. 9, pp. 952-957, 2006.
  • 5. Schmidt A., Kappert H. & Kokozinski R., “Enhanced High Temperature Performance of PD-SOI MOSFETs in Analog Circuits Using Reverse Body Biasing,” in Additional Papers and Presentations 2013. HITEN, pp. 000122-000133.
 
Перейти к загрузке файла
<<   СОДЕРЖАНИЕ