Полная версия

Главная arrow Техника arrow Анализ принципа работы и расчет субмикронных МОП-транзисторов

  • Увеличить шрифт
  • Уменьшить шрифт


<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>

Измерение субмикронных МОПТ

Пример применения измерительного комплекса

Разработанная система широко использовалась при исследовании различных технологий КНИ КМОП для расширенного диапазона высоких температур. Во время исследования измерялись субмикронные n-канальные КНИ МОП транзисторы, с напряжением питания 1.8 В, имеющие размеры: W/L=10/10 мкм - «большие», W/L=10/0.18 мкм - «короткие». Измерения проводились при различных значениях температуры от 27°С до 300°С.

Для снятия вольт-амперных характеристик исследуемых МОПТ, подавались следующие диапазоны значений напряжения:

  • 1. Для выходных характеристик:
    • § .

§ .

  • § .
  • 2. Для сток-затворных характеристик:
    • § .
  • § .
  • § .

Результаты измерений

С помощью модифицированного измерительного комплекса, были получены следующие выходные и сток-затворные характеристики:

1. Для транзистора W/L=10/0.18 мкм:

Рис. 3.1

Рис. 3.2

Для построения наглядного графика зависимостей тока стока от напряжения затвора-истока в диапазоне температур, для каждой указанной температуры (27°С, 100°С, 200°С, 300°С), были взяты значения напряжений при .

Рис. 3.3

Рис. 3.4

По полученным сток-затворным характеристикам были вычислены: пороговое напряжение, подвижность носителей и ток утечки.

Рис. 3.5

Рис. 3.6

Рис. 3.7

Из графиков видно, что при увеличении температуры пороговое напряжение уменьшается на 0.25 В, подвижность свободных носителей снижается на половину, а ток утечки увеличивается на 6.42 нА.

 
Перейти к загрузке файла
<<   СОДЕРЖАНИЕ   >>